+7 (495) 642-82-44 +7 (495) 232-02-07 8 800 777-02-07
Оборудование для автоматизации
+7 (495) 642-82-44 +7 (495) 232-02-07 8 800 777-02-07
Главная
Каталог
Периферия и комплектующие
Промышленная оперативная память
M4XE-AGS1QCIK-G

M4XE-AGS1QCIK-G

Innodisk
Артикул: 11563500
Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 XR-DIMM (ECC), 2666MT/s, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, Dual side, 0...+85C
190 279,61 ₽
2 275,59 у.е.
с учетом НДС
Доступен под заказ
Доступен под заказ

Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
16 ГБ
Тактовая частота
2666 МГц
Количество контактов
300
Поддержка ECC
Да
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
XR-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
-40..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг

Задать вопрос

Innodisk
Артикул: 11563500
M4XE-AGS1QCIK-G

Рекомендуемые товары

M3U0-8GSSALPC
Снят с производства
На складе
Innodisk
M3U0-8GSSALPC
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C
RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz
Снят с производства
На складе
Innodisk
RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz
Промышленный модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C
M5U0-8GSY1CZQ
На складе
Innodisk
M5U0-8GSY1CZQ
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, Single side, без ECC, 0...+85C
55 819,84 ₽
667,56 у.е.
M3S0-4GWSC5PC
На складе
Innodisk
M3S0-4GWSC5PC
Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 SODIMM, 1600MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, Dual side, без ECC, -40...+85C
36 295,94 ₽
434,07 у.е.
M5R0-AGS2ACVP
На складе
Innodisk
M5R0-AGS2ACVP
Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 RDIMM 4800МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, 0...+95C
138 195,81 ₽
1 652,71 у.е.
M4S0-BGS2O5EM
На складе
Innodisk
M4S0-BGS2O5EM
Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Sam, без поддержки ECC, двухранговая, dual side, -40...+85C
288 236,91 ₽
3 447,08 у.е.
M4U0-8GS1JCEM
На складе
Innodisk
M4U0-8GS1JCEM
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C
67 267,94 ₽
804,47 у.е.
M5S0-AGS2N5ZQ
На складе
Innodisk
M5S0-AGS2N5ZQ
Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 SODIMM, 5600MT/s, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, Single side, без ECC, -40...+95C
121 901,23 ₽
1 457,84 у.е.
M5S0-8GNYZ8ZQ
Innodisk
M5S0-8GNYZ8ZQ
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5SZ-8GNYZ80Q-A
Innodisk
M5SZ-8GNYZ80Q-A
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5UZ-8GNY180Q-A
Innodisk
M5UZ-8GNY180Q-A
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5U0-8GNY18ZQ
Innodisk
M5U0-8GNY18ZQ
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5U0-8GNY18VP
Innodisk
M5U0-8GNY18VP
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5UZ-8GNY18VP-A
Innodisk
M5UZ-8GNY18VP-A
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5S0-8GNYZ8VP
Innodisk
M5S0-8GNYZ8VP
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M5SZ-8GNYZ8VP-A
Innodisk
M5SZ-8GNYZ8VP-A
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C
49 265,05 ₽
589,17 у.е.
M4C0-8GWST5UN
Innodisk
M4C0-8GWST5UN
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, -40...+95C
80 308,95 ₽
960,43 у.е.
M4C0-8GWSTCUN
Innodisk
M4C0-8GWSTCUN
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C
72 181,31 ₽
863,23 у.е.