Периферия и комплектующие

Промышленная оперативная память

M4S0-BGS2O5EM

M4S0-BGS2O5EM

Артикул: 10214600

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Sam, без поддержки ECC, двухранговая, dual side, -40...+85C

290 731,56 ₽

3 447,08 у.е.

с учетом НДС

Оперативная память

Тип памяти DRAM

DDR4

Объем модуля

32 ГБ

Тактовая частота

3200 МГц

Количество контактов

260

Поддержка ECC

Нет

Регистровая

Нет

Низкопрофильная

Нет

Напряжение питания

1.2V

Форм-фактор

SO-DIMM

Эксплуатационные характеристики

Температура эксплуатации

-40..85 °C

Габариты упаковки

Вес без упаковки

0.02 кг

Вес в упаковке

0.02 кг

Документация

Задать вопрос

Артикул: 10214600

M4S0-BGS2O5EM

Полезные материалы

Новинки от Innodisk: экстра-температурные модули DDR4 и DDR5

05 июня 2024

Новинки от Innodisk: экстра-температурные модули DDR4 и DDR5

Рекомендуемые товары

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

Промышленный модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

M3S0-4GWSC5PC

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 SODIMM, 1600MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, Dual side, без ECC, -40...+85C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 RDIMM 4800МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, 0...+95C

1 599,88 у.е.

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

M5S0-AGS2N5ZQ

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 SODIMM, 5600MT/s, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, Single side, без ECC, -40...+95C

1 410,92 у.е.

M4C0-8GWST5UN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, -40...+95C

M4C0-8GWSTCUN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4C0-4GWSS5EM

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4U0-4GWSV5UN

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4CE-4GWSS50M-R

M4CE-4GWSS50M-R

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4UE-8GNSWC0M-F

M4UE-8GNSWC0M-F

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Nanya, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4U0-8GWSWCUN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4UE-8GNSWCUN-F

M4UE-8GNSWCUN-F

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Nanya, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4C0-8GWSTCEM

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4UE-8GN1VCUN-H

M4UE-8GN1VCUN-H

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 1Gx8, чип Nanya, одноранговая, single side, 0...+95C

M4U0-8GWSW5UN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4U0-8GNSWCUN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Nanya, двухранговая, dual side, 0...+95C