Технический семинар в Москве и Санкт-Петербурге

M4SE-8GSX8CRG-G

Innodisk
Артикул: 11503000
Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 SODIMM, 2133MT/s, 512Mx16, чип Sam, двухранговая, Dual side, без ECC, 0...+85C
69 972,15 ₽
823,07 у.е.
с учетом НДС
Доступен под заказ
Доступен под заказ

Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
8 ГБ
Тактовая частота
2133 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
8 ГБ
Тактовая частота
2133 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
8 ГБ
Тактовая частота
2133 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
8 ГБ
Тактовая частота
2133 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг

Задать вопрос

Рекомендуемые товары