M4SE-4GSSNC0M-G
Innodisk
Артикул: 11494500
Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 SODIMM, 3200MT/s, 512Mx8, чип Sam, одноранговая, Dual side, без ECC, 0...+85C
34 321,01 ₽
405,95 у.е.
с учетом НДС
Доступен под заказ
Доступен под заказ
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Оперативная память
Тип памяти DRAM
DDR4
Объем модуля
4 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Количество контактов
260
Поддержка ECC
Нет
Регистровая
Нет
Низкопрофильная
Нет
Напряжение питания
1.2V
Форм-фактор
SO-DIMM
Эксплуатационные характеристики
Температура эксплуатации
0..95 °C
Габариты упаковки
Вес без упаковки
0.02 кг
Вес в упаковке
0.02 кг
Задать вопрос
Innodisk
Артикул: 11494500








.png)








