Периферия и комплектующие

Промышленная оперативная память

M1SF-1GMCVCDB-J

M1SF-1GMCVCDB-J

Артикул: 08138200

Модуль оперативной памяти 1Гб DDR1 SO-DIMM 333МГц, 64Mx8/BGA, чип Micron, двухранговая, dual side, 0...+85C

74 808,56 ₽

910,76 у.е.

с учетом НДС

Оперативная память

Тип памяти DRAM

DDR

Объем модуля

1 ГБ

Тактовая частота

333 МГц

Количество контактов

200

Поддержка ECC

Нет

Регистровая

Нет

Низкопрофильная

Нет

Напряжение питания

2.6V

Эксплуатационные характеристики

Температура эксплуатации

0..85 °C

Вес и габариты упаковки

Вес без упаковки

0.02 кг

Вес в упаковке

0.02 кг

Документация

Innodisk DRAM Selection Guide May-2018

Задать вопрос

Артикул: 08138200

M1SF-1GMCVCDB-J

Полезные материалы

Новинки от Innodisk: экстра-температурные модули DDR4 и DDR5

05 июня 2024

Новинки от Innodisk: экстра-температурные модули DDR4 и DDR5

Рекомендуемые товары

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

RAM 8Gb DDR3L DIMM 1600MHz

Промышленный модуль оперативной памяти 8Гб DDR3L U-DIMM 1600МГц, 512Mx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

RAM 16GB DDR5 DIMM

RAM 16GB DDR5 DIMM

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 U-DIMM 5600МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

RAM 8GB DDR5 DIMM

RAM 8GB DDR5 DIMM

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 U-DIMM 5600МГц, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 UDIMM, 5600MT/s, 1Gx16, чип Sam, одноранговая, Single side, без ECC, 0...+85C

M3S0-4GWSC5PC

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR3 SODIMM, 1600MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, Dual side, без ECC, -40...+85C

M4S0-BGS2O5EM

Модуль оперативной памяти 32Гб DDR4 SO-DIMM 3200МГц, 2Gx8, чип Sam, без поддержки ECC, двухранговая, dual side, -40...+85C

3 589,90 у.е.

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR5 RDIMM 4800МГц, 2Gx8, чип Sam, одноранговая, dual side, 0...+95C

1 705,53 у.е.

M4C0-AGS1MCEM-T85I

M4C0-AGS1MCEM-T85I

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, ECC, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, одноранговая, single side, 0...+85C

Модуль оперативной памяти 16Гб DDR4 U-DIMM 3200МГц, 1Gx8, чип Sam, двухранговая, dual side, 0...+85C

1 617,58 у.е.

M4CE-4GWSS50M-R

M4CE-4GWSS50M-R

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4U0-4GWSV5UN

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4C0-4GWSS5EM

Модуль оперативной памяти 4Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 3200MT/s, 512Mx8, чип Winbond, одноранговая, single side, -40...+95C

M4C0-8GWSTCUN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, 0...+95C

M4C0-8GWST5UN

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR4 ECC UDIMM VLP, 2933MT/s, 512Mx8, чип Winbond, двухранговая, dual side, -40...+95C

1 014,11 у.е.

M5SZ-8GNYZ8VP-A

M5SZ-8GNYZ8VP-A

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C

M5S0-8GNYZ8VP

Модуль оперативной памяти 8Гб DDR5 SODIMM, 4800MT/s, 1Gx16, чип Nanya, одноранговая, single side, -40...+95C